Стадии изготовления планарного транзистора: а — исходная пластина; б — после первого окисления; в — после первой фотолитографической обработки; г — после создания базовой области и второго окисления; д — после второй фотолитографической обработки; е — после создания эмиттерной области и третьего окисления; ж — после третьей фотолитографической обработки; з — после металлизации; 1 — исходный кремний с электропроводностью n-типа; 2 — маскирующая плёнка двуокиси кремния; 3 — базовая область; 4 — эмиттерная область; 5 — металлическая плёнка (контакты).


 

Оглавление